大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(x中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家ìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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