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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

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　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron劳心者治人劳力者治于人这句话的意思是什么，劳心者治人 劳力者治于人是什么意思）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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