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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(c我国最穷的5个城市，哪一个省最穷hǎn)品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。我国最穷的5个城市，哪一个省最穷>

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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