大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销错一个题就往阴里装一支笔售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒ错一个题就往阴里装一支笔ng)或者错一个题就往阴里装一支笔(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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