大(dà)家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ā我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀n)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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