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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(b耳钉买925银好还是999好，925银适合养耳洞吗ō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉耳钉买925银好还是999好，925银适合养耳洞吗(hàn)长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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