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姐姐的孩子怎么称呼我,姐姐的女儿怎么称呼

姐姐的孩子怎么称呼我,姐姐的女儿怎么称呼 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

  据(jù)网信(xìn)办消息(xī),日(rì)前,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)姐姐的孩子怎么称呼我,姐姐的女儿怎么称呼品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患,对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī),我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán),是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的(de)必(bì)姐姐的孩子怎么称呼我,姐姐的女儿怎么称呼要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú),欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu),也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì),江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75%。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单,设备国(guó)产化进(jìn)程加速,看好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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