大家好(hǎo)，来(lái)看一(yī)则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网裤子175是几个x发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)裤子175是几个x存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：上海惠特丽生物科技有限公司 官网 裤子175是几个x