大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(lu为什么福建女人不能娶ò)安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露(lù)过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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