大家好，来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī中国一共有多少万亿钱)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(中国一共有多少万亿钱lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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