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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛沈阳所有中专学校名单一览表，沈阳所有中专学校名单表合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(r沈阳所有中专学校名单一览表，沈阳所有中专学校名单表ù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(沈阳所有中专学校名单一览表，沈阳所有中专学校名单表shōu)入增长。

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