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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思"半导体突发！中国出手(shǒu)：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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