大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、爬山是什么性暗示，男女常用的7句性暗示语 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升爬山是什么性暗示，男女常用的7句性暗示语，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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