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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(gu邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗ó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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