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　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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