大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前阅历是什么意思，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(阅历是什么意思liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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